Japan har udviklet en ny teknologi til opvarmning af flade skiverunderlag, som er overlegen i forhold til traditionelle slibnings- og poleringsmetoder

Ifølge en rapport om Nikkei-kinesisk websted har et forskerteam ledet af professor Seimatsu Hang fra Waseda University i Japan udviklet en metode til at flade overfladen af halvlederskiverunderlag ved opvarmning, hvilket er mere praktisk og højtydende end traditionelle slibemetoder, og er fordelagtigt til forbedring af halvlederproduktionsprocesser.

Forskningsteamet gennemførte eksperimenter ved hjælp af siliciumcarbidskivesubstrater.På grund af det faktum, at skiver fremstilles ved at skære hele krystalblokken i tynde skiver, er tværsnittet tilbøjelig til ujævnhed og kan ikke bruges direkte.Den traditionelle metode er at kombinere flere metoder til polering og slibning, men dette kan føre til intern skader og dannelse af overfladefald.

Holdet opvarmer det mekanisk malede siliciumcarbidsubstrat under argon og brintbeskyttelse i 10 minutter til 1600 grader Celsius og opretholder det derefter ved 1400 grader Celsius i en periode.På dette tidspunkt når overfladen et atomniveau af fladhed.På grund af sin enkle driftsmetode, som kun kræver opvarmning, sammenlignet med traditionel multiple polering, er det fordelagtigt at forkorte produktionstiderne og reducere omkostningerne.

Ud over at forarbejdningseffekthalvledermateriale siliciumcarbid kan denne teknologi også bruges til at behandle andre materialer med lignende gitterstrukturer, såsom galliumnitrid og galliumarsenidskiver.